目前固态硬盘、内存以及U盘等存储设备的大幅度涨价，影响着涨价这些存储设备主要元件就是闪存颗粒，那么今天的话题主要围绕着闪存颗粒来说。2D NAND和3D NAND闪存颗粒的区别？下面本站来说说关于关于NAND闪存颗粒小知识以及2D NAND和3D NAND闪存颗粒的区别。
关于NAND闪存颗粒小知识
闪存颗粒，又称闪存，是一种非易失性存储器，即在断电的情况下依旧可以保存已经写入的数据，而且是以固定的区块为单位，而不是以单个的字节为单位。
根据用途和规格不同，闪存颗粒有很多不同的变种，今天我们主要讨论的是用于固态硬盘等存储设备中的、最为常用的NAND闪存颗粒。
NAND闪存颗粒，是闪存家族的一员，最早由日立公司于1989年研制并推向市场，由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点，成为了存储行业最为重要的存储原料。
根据NAND闪存中电子单元密度的差异，又可以分为SLC（单层次存储单元）、MLC（双层存储单元）以及TLC(三层存储单元)，此三种存储单元在寿命以及造价上有着明显的区别。
SLC（单层式存储），单层电子结构，写入数据时电压变化区间小，寿命长，读写次数在10万次以上，造价高，多用于企业级高端产品。
MLC（多层式存储），使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，寿命长，造价可接受，多用民用高端产品，读写次数在5000左右。
TLC（三层式存储），是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell。存储密度最高，容量是MLC的1.5倍。 造价成本最低， 使命寿命低，读写次数在1000~2000左右，是当下主流厂商首选闪存颗粒。
随着时代发展，NAND闪存颗粒的技术突飞猛进，并且逐渐形成了几大超大规模的专业闪存颗粒制造商，这些能够直接切割晶圆和分离出NAND闪存颗粒的厂商，一般称之为闪存颗粒原厂。
它们分别是三星、东芝、闪迪、英特尔、SK海力士、美光等六家颗粒制造商，据统计它们六家的闪存产能几乎占据了NAND闪存市场近9成的市场比重，几乎所有的工艺的创造和升级，都是由这么几家原厂所主导。
