今天主要来讲讲固态硬盘颗粒级别,由于黑白片这类的不是在一个生产过程中造成,因此如果想想非常好的掌握,还要简单介绍一下下NAND闪存芯片的生产流程。
一、单晶硅棒
看图片就能知道,这一步大部分就把单硅晶大棒开展切割打磨抛光使之成为较为完美wafer「晶圆」,目前主流使用的都是12寸晶圆,由于比较小的晶圆出来圆外围的一部分内部结构可供使用的die并不多,相对性12寸可以用面积较大。这儿解释下,硅晶圆片称作wafer晶圆,切割后一小块立方体为die。
二、光刻工艺与正离子离子注入技术性
这一步就是通过光刻工艺与正离子离子注入技术将晶圆做成必须的模样,这一步是整个生产制造中较为最核心的一部分,都是顶尖科技密集的一部分,另外还有一些其他流程,最后成为可利用的晶圆。这一步看似简单,但是现实是以Nμm一路发展趋势到现在的10NM上下制造,这发展是很难得的,现阶段国产半导体加工制造业主要也是被这个一步限定。
三、切割晶圆
这一步其实也没什么好说,就是通过切割设备进行切割,与此同时四周非标样子「未办反切割出完整的正方形的一部分」能被回收利用,制做一个新的单硅晶棒。
四、die的挑选
这一步会让die进行分类,其实就是这一步也会产生黑片,假如说起这一步实际上必须分离说,由于固态颗粒和独立显卡Cpu什么的商品并不是完全一样的,这儿要稍微提一下处理器和显卡这类新产品的挑选。最先说明一下NAND闪存芯片。「上图颜色不一样意味着质量不一样,加工厂将进行选择,也就会产生颗粒级别。」
图中灰黑色部分就是挑走颗粒,剩余乃为比较差的颗粒物。