占领市场多年的DDR3内存，以及去年开始普及且性能更强的DDR4内存，这就如同曾经DDR2向DDR3过渡，新一代处理器平台为了适应这新老交替的过渡的阶段，同时集成了双控制器，可分别兼容DDR3和DDR4内存。好了，进入正题，内存ddr4和ddr3的区别是什么？下面本站来科普一下。
DDR3与DDR4外观上的区别：
DDR3与DDR4外观上的区别
仔细观察，我们发现DDR4内存金手指变的弯曲了，并没有沿用以往的直线设计。这样做是为了改善以往平直的内存条在插拔时，摩擦力较大，有的时候会遇到难以插拔的情况。DDR4内存将下部设计为中间稍突出、边缘变短的形状，中央到边缘平滑曲线过渡。此外，中间的“缺口”位置相比DDR3更为靠近中央。在金手指触点数量方面，普通DDR4内存有284个，而DDR3则是240个，当然我们没必要去数这个，记住DDR4内存金手指是弯曲的就可以了。
下面再说说它们的参数差异：
DDR4在使用了3DS堆叠封装技术后，单条内存的容量最大可以达到DDR3内存的8倍之多。好比目前常见的单条8GB容量的DDR3（单颗芯片512MB，共16颗），DDR4则完全可以达到64GB，甚至128GB。而电压方面，DDR4使用低于20nm的工艺来制造，电压从DDR3的1.5V降低至DDR4的1.2V，移动版的SO-DIMMD DR4的电压还会降得更低，因此功耗更低。
频率和位宽决定了内存带宽，带宽越高内存性能就越强。DDR3内存传输速率最高到2800MHz（超频的除外）；而DDR4的传输速度从2133MHz起，最高可达4266MHz。很明显DDR4内存能够达到的带宽更高。DDR4内存的每个针脚都可以提供2Gbps(256MB/s)的带宽，DDR4-3200那就是51.2GB/s，比之DDR3-1866高出了超过70％。
此外还有一个重要参数就是内存的时序。一般在内存条的SPD中，数字“11-11-11-28”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”， CAS Latency（简称CL值）是内存CAS延迟时间，RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间; RAS Precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间; Row Active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟。
常见的DDR3 1600的内存基本新装的电脑都会使用的内存，时序分别是9-9-9-24，11-11-11-28也是很长见的。随着内存的频率越高时序也会有不同程度的提升，在DDR时代1G的默认时序一般是3-3-3-8，到现在最新的DDR4时序已经升到了16-16-16-35。在同样频率设定下，14-14-14-34这种序列时序的内存模组确实能够带来比16-16-16-35更高的内存性能，幅度在3-5%。
以上就是本站分享的内存ddr4和ddr3的区别，希望能够帮助到你。
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